VII Simposio Internacional de Química 2019
SIQ 2019
Las mezclas reactivas de un combustible (Al) y un oxidante (CuO), diseñadas a nano-escala, tienen diversas aplicaciones civiles y militares. Se utilizan en Sistemas Microelectromecánicos, ignición de materiales portadores de energía, almacenamiento de energía, entre otras. La Deposición Física de Vapor es una técnica empleada para obtener las mencionadas mezclas y la interfaz así formada entre el oxidante y el combustible influye de manera significativa en la estabilidad del nanocompuesto. En el trabajo se simula, con Dinámica Molecular Clásica, un modelo creado para el estudio de la zona interfacial en el Al/CuO. El modelo cuenta con un sustrato de aluminio de 288 átomos sobre el cual se depositan, a razón de 150moléculas/ps, 500 moléculas de CuO desde posiciones aleatorias en el plano paralelo a la superficie del sustrato, con una velocidad de incidencia igual a 1A/ps. Tras realizar la simulación a 4K se observa que las moléculas de CuO se han disociado casi en su totalidad. La composición de la interfaz es de átomos de cobre y además han adoptado la estructura cristalina del sustrato. Los átomos de oxígeno se mueven hacia la superficie de la película depuesta, de modo que en ella no hay cobre. En el seno del material se crean conglomerados tanto de cobre como de oxígeno, dando lugar a un compuesto no uniforme. El mencionado comportamiento se acentúa con el aumento de la temperatura y se observa la extracción de átomos de aluminio por su interacción con los de oxígeno.
Las mezclas reactivas de un combustible (Al) y un oxidante (CuO), diseñadas a nano-escala, tienen diversas aplicaciones civiles y militares. Se utilizan en Sistemas Microelectromecánicos, ignición de materiales portadores de energía, almacenamiento de energía, entre otras. La Deposición Física de Vapor es una técnica empleada para obtener las mencionadas mezclas y la interfaz así formada entre el oxidante y el combustible influye de manera significativa en la estabilidad del nanocompuesto. En el trabajo se simula, con Dinámica Molecular Clásica, un modelo creado para el estudio de la zona interfacial en el Al/CuO. El modelo cuenta con un sustrato de aluminio de 288 átomos sobre el cual se depositan, a razón de 150moléculas/ps, 500 moléculas de CuO desde posiciones aleatorias en el plano paralelo a la superficie del sustrato, con una velocidad de incidencia igual a 1A/ps. Tras realizar la simulación a 4K se observa que las moléculas de CuO se han disociado casi en su totalidad. La composición de la interfaz es de átomos de cobre y además han adoptado la estructura cristalina del sustrato. Los átomos de oxígeno se mueven hacia la superficie de la película depuesta, de modo que en ella no hay cobre. En el seno del material se crean conglomerados tanto de cobre como de oxígeno, dando lugar a un compuesto no uniforme. El mencionado comportamiento se acentúa con el aumento de la temperatura y se observa la extracción de átomos de aluminio por su interacción con los de oxígeno.
Sobre el ponente
Mr. Yaidel Toledo